Remarque: le minimum de commande, frais de port compris, est de 12.00€. Il manque seulement 5.10€ pour le minimum. Vos quantités sont-elles suffisantes? N'avez-vous rien oublié?
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N-IGBT 650V 120A/180Ap 600W Vce(sat)1.9V - 2.1V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: FGA60N65CMS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO-3PN. Type de canal: Canal N. Vceo: 650 V. Consommation 120 A. Ic(T-100°C): 60 A. Ic(puls): 180 A. Puissance: 600 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VCE(sat): 1,9 V. Diode CE:
N-IGBT+D 1000V 60A/200Ap 180W (42A) Vce(sat)1.5V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FGL60N100BNTD. Jelzés a tokon: G60N100BNTD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 3L. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1000 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 42 A. Ic(puls): 200 A
N-IGBT+D 600V 150A/225Ap 428W Vce(sat)1.9V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: Powwer TO-247D03. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 150 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 750 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VGE(th)max.: 6,5 V.